ANSYS SIwave高速PCB仿真培训课程
培训对象
信号/电源完整性工程师、高速PCB设计人员、射频/微波电路设计人员、需要掌握2.5D电磁场仿真技术的研发人员。
培训目标
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理解2.5D电磁场求解器的基本原理与SIwave的适用场景。
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掌握SIwave进行PCB/封装的S参数提取、TDR仿真、眼图分析、PDN阻抗分析等方法。
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能够独立完成高速PCB的SI/PI/EMI完整仿真流程。
培训内容介绍
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SIwave软件概述：SIwave的定位（专为PCB和IC封装设计的2.5D电磁场仿真器）；SIwave的核心功能（S参数提取、PDN分析、IR Drop、EMI扫描）；SIwave与HFSS、Q3D等工具的分工与协同；软件界面与基本操作。
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数值方法与求解器：2.5D电磁场求解器的原理（基于分层介质的格林函数法）；全波求解器与准静态求解器的选择；频域扫描与自适应频率设置；网格划分策略（针对平面结构的自动网格）。
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PCB模型导入与设置：支持的文件格式（ODB++、Gerber、Ansoft Links）；层叠结构的定义（材料、厚度、介电常数、损耗正切）；网络（Nets）的识别与编辑；端口（Ports）的添加类型（单端、差分、混合模式）。
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S参数提取：S参数的定义与物理意义；提取S参数的设置（端口分配、频率范围、扫频类型）；S参数结果的可视化（Smith圆图、对数幅度图）；S参数的无源性/因果性检查与修正。
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TDR（时域反射）分析：TDR的基本原理；从频域S参数转换到时域TDR；差分TDR与共模TDR；TDR阻抗轮廓的解读；阻抗不连续点的定位与分析。
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眼图分析：眼图的生成原理；从S参数和IBIS模型进行通道仿真；眼图参数（眼高、眼宽、抖动、BER）的提取；不同均衡技术（CTLE、FFE、DFE）对眼图的影响。
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电源完整性分析（PI）：PDN阻抗分析（Z参数提取）；谐振模式分析（谐振频率、谐振Q值）；电压分布图（Voltage Distribution）；电流密度图（Current Density）；去耦电容的建模与优化。
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直流IR Drop分析：静态IR Drop的求解设置；电压降分布的可视化；电流密度与电迁移检查；多层电源网络的IR Drop分析。
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EMI/EMC扫描：近场与远场辐射的计算；设置辐射边界（球面、半空间）；EMI扫描频率的设置；辐射场强分布的可视化；识别潜在的EMI风险频点。
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过孔建模与优化：过孔的结构参数（焊盘、反焊盘、Stub、背钻）；过孔模型的S参数提取；过孔引入的阻抗不连续性分析；过孔Stub效应对信号完整性的影响；背钻（Back-drill）效果的仿真验证。
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封装与PCB协同仿真：IC封装模型的导入；芯片-封装-PCB的全链路建模；协同仿真中的模型级联（S参数级联、通道级联）；系统级SI/PI的完整评估。
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综合实战项目：典型高速PCB（如10Gbps SerDes通道、DDR4接口）的完整SIwave仿真，包含S参数提取、TDR分析、眼图评估、PDN阻抗仿真与EMI扫描。
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