半导体先进封装技术（TSV工艺）实战课程

 

培训对象： 面向封装工程师、工艺整合人员及半导体封测厂技术人员。也适合需要掌握2.5D/3D IC封装技术的研发与管理人员。

 

培训目标： 全面掌握硅通孔技术的工艺原理、关键制程及应用场景，理解先进封装在超越摩尔定律中的战略价值。具备TSV工艺整合能力，能够参与2.5D中介层封装与3D IC堆叠项目的工艺设计与优化。

 

培训内容介绍：

1. 解析先进封装技术演进路径，从主流封装（QFP、BGA）到先进封装（FOWLP、2.5D/3D IC）的发展历程。

2. 深入讲解摩尔定律与"超越摩尔"的技术路线，分析先进封装在AI/HPC时代的战略地位。

3. 学习TSV技术的核心原理，掌握深孔刻蚀、绝缘层沉积、阻挡层/种子层沉积工艺要点。

4. 讲解高深宽比填孔电镀技术，包括电镀原理、电镀系统物理化学效应及沉积机制。

5. 掌握填孔电镀化学配方体系，了解加速剂、抑制剂、平整剂等添加剂的协同作用。

6. 对比分析通孔与盲孔电镀製程的差异，掌握不同孔型的填充成长机制。

7. 学习晶圆减薄技术，掌握背面研磨、应力释放及超薄晶圆处理方法。

8. 讲解2.5D中介层封装技术，包括硅中介层与玻璃中介层的工艺差异与应用场景。

9. 深入剖析3D IC堆叠技术，包括Chip on Wafer、Wafer on Wafer及混合键合工艺。

10. 学习CoWoS、InFO、SoIC等先进封装形式的工艺架构与应用案例。

11. 探讨TSV工艺在高性能计算、高带宽内存等领域的应用实践。

12. 开展TSV工艺整合实战演练，分析典型工艺缺陷及解决方案。

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